Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IKQ100N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKQ100N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-Q100N120CH7XKSA1
Price: 9.43 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-Q100N120CH7XKSA1

Mfr. #:

IKQ100N120CH7XKSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

Duomenų Lapas:

IKQ100N120CH7XKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IKQ100N120CH7XKSA1

Prieinamumas: 700

Turime sandėlyje:: 700 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 19 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	9,43 €	9,43 €
	5,63 €	56,30 €
	4,80 €	480,00 €
	4,65 €	2 232,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	- 20 V, 20 V
Serija:	IGBT7 H7
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	240
Subkategorija:	IGBTs
Prekinis pavadinimas:	TRENCHSTOP
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IKQ100N120CH7 SP005578284

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IKQ100N120CH7XKSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7^th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.