Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IDW40G65C5BXKSA2

Name: Infineon IDW40G65C5BXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDW40G65C5BXKSA2
Price: 11.79 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IDW40G65C5BXKSA2

Mfr. #:

IDW40G65C5BXKSA2

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES

Duomenų Lapas:

IDW40G65C5BXKSA2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IDW40G65C5BXKSA2

Prieinamumas: 187

Turime sandėlyje:: 187 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,79 €	11,79 €
	8,42 €	84,20 €
	7,22 €	722,00 €
	6,06 €	2 908,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	40 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	182 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	2.2 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	XDW40G65
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Pd - skaidos galia:	183 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	240
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IDW40G65C5B SP001633192
Vieneto Svoris:	6 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Product Catalogs

Technical Resources

Test/Quality Data

MCDS_2015-08-14_04-13-51_MA001225322_PG-TO247-3-41.pdf (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.