Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IDH10G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH10G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH10G65C5XKSA2
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IDH10G65C5XKSA2

Mfr. #:

IDH10G65C5XKSA2

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES

Duomenų Lapas:

IDH10G65C5XKSA2 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IDH10G65C5XKSA2

Prieinamumas: 325

Turime sandėlyje:: 325

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 500

Tikėtina 2026-03-02
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 9

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,69 €	3,69 €
	1,89 €	18,90 €
	1,72 €	172,00 €
	1,65 €	825,00 €
	1,33 €	1 330,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	10 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	82 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	500 nA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	XDH10G65
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Pd - skaidos galia:	89 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	500
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IDH10G65C5 SP001632410
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IDH10G65C5XKSA2 Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-TO220-2-1 | IDH10G65C5XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

PSpice CoolSiC™ Schottky diode 650V G5 IDHxxG65C5 (Zip)

Technical Resources

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs & Diodes

Infineon Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes provide a portfolio that addresses the need for smarter, more efficient energy generation, transmission, and consumption. The CoolSiC portfolio addresses customers’ needs for reduced system size and cost in mid- to high-power systems while meeting the highest quality standards, providing a long system lifetime, and guaranteeing reliability. With CoolSiC, customers will reach the most stringent efficiency targets while seeing a drop in operational system costs. The portfolio is comprised of CoolSiC Schottky diodes, CoolSiC hybrid modules, CoolSiC MOSFET modules, and discrete, plus EiceDRIVER™ gate driver ICs for driving Silicon Carbide devices.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).