Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GE04MPS06Q-TR

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06Q-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06Q-TR
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

905-GE04MPS06Q-TR

Mfr. #:

GE04MPS06Q-TR

Gam.:

GeneSiC Semiconductor

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q-TR

Prieinamumas: 2 934

Turime sandėlyje:: 2 934 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	0,924 €	0,92 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,924 €	2 772,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Navitas Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	QFN-8
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	4 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.25 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	22 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	1 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	SiC Schottky MPS
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	GeneSiC Semiconductor
Pd - skaidos galia:	101 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.