Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GCMX010A120B3H1P

Name: SemiQ GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX010A120B3H1P
Price: 119.8 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GCMX010A120B3H1P

Mfr. #:

GCMX010A120B3H1P

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

MOSFET moduliai 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

GCMX010A120B3H1P Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GCMX010A120B3H1P

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	119,80 €	119,80 €
	101,16 €	1 011,60 €
	91,62 €	9 162,00 €
500	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Press Fit
Pakuotė / Korpusas:	B3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	4 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	201 A
RDS On - Drain-Source Varža:	8.9 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	600 W
Serija:	GCMX
Pakavimas:	Bulk
Prekės Ženklas:	SemiQ
Rudens laikas:	15 ns
Aukštis:	15.2 mm
Ilgis:	62.8 mm
Gaminys:	Modules
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	9 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	20
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Full Bridge Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	32 ns
Vf - tiesioginė įtampa:	3.9 V
Plotis:	56.7 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GCMX010A120B3H1P Duomenų Lapas (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1 200 V SiC MOSFET viso tiltelio moduliai

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET pilno tiltelio moduliai pasižymi mažais perjungimo nuostoliais, maža sandūros ir korpuso šilumine varža, yra labai tvirti ir lengvai montuojami. Šie moduliai tiesiogiai montuojami prie radiatoriaus (izoliuota pakuotė) ir turi Kelvino etaloną, užtikrinantį stabilų veikimą. Visos dalys buvo kruopščiai išbandytos, kad atlaikytų didesnę nei 1350 V įtampą. Šių modulių skiriamasis bruožas – tvirta 1200 V nutekėjimo ir šaltinio įtampa. GCMX pilno tiltelio moduliai veikia 175°C sandūros temperatūroje ir atitinka RoHS reikalavimus. Įprastai naudojami fotovoltiniai keitikliai, akumuliatorių įkrovikliai, energijos kaupimo sistemos ir aukštos įtampos DC-DC keitikliai.