Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GCMX005A120B3B1P

Name: SemiQ GCMX005A120B3B1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX005A120B3B1P
Price: 114.23 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

148-GCMX005A120B3B1P

Mfr. #:

GCMX005A120B3B1P

Gam.:

SemiQ

Aprašymas:

MOSFET moduliai SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module

Duomenų Lapas:

GCMX005A120B3B1P Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie SemiQ GCMX005A120B3B1P

Prieinamumas: 34

Turime sandėlyje:: 34 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	114,23 €	114,23 €
	99,63 €	996,30 €
	95,75 €	9 575,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 40)
	99,63 €	3 985,20 €
500	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	SemiQ
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	383 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.8 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	1.154 kW
Serija:	GCMX
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	SemiQ
Rudens laikas:	29 ns
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	22 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	40
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Half-Bridge
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	114 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	51 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GCMX005A120B3B1P Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1 200 V SiC MOSFET pusės tiltelio Moduliai

SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET pusės tiltelio moduliai pasižymi mažais perjungimo nuostoliais, maža sandūros ir korpuso šilumine varža, yra labai tvirti ir lengvai montuojami. Šie moduliai tiesiogiai montuojami prie radiatoriaus (izoliuota pakuotė) ir turi Kelvino etaloną, užtikrinantį stabilų veikimą. Visos dalys buvo kruopščiai išbandytos, kad atlaikytų didesnę nei 1350 V įtampą. Išskirtinis šių modulių bruožas – tvirta 1200 V nutekėjimo ir šaltinio įtampa. GCMX pusės tiltelio moduliai veikia 175°C sandūros temperatūroje ir atitinka RoHS reikalavimus. Įprastai naudojami fotovoltiniai keitikliai, akumuliatorių įkrovikliai, energijos kaupimo sistemos ir aukštos įtampos DC-DC keitikliai.