Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

GANE350-650FBAZ

Name: Nexperia GANE350-650FBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE350-650FBAZ
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

771-GANE350-650FBAZ

Mfr. #:

GANE350-650FBAZ

Gam.:

Nexperia

Aprašymas:

GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

GANE350-650FBAZ Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Nexperia GANE350-650FBAZ

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Nexperia
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DFN-5
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	6 A
RDS On - Drain-Source Varža:	350 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	7 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	1.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	65 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	Nexperia
Configuration:	Single
Rudens laikas:	6.1 ns
Didžiausia santakos vartų įtampa:	40 V
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	GaN FETs
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	3.5 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	1.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	0.9 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	934667638332

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

GANE350-650FBAZ Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

eMode GaN lauko tranzistorius (FET)

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low Q_C and Q_OSS values, resulting in excellent power efficiency.

ATRINKTI PRODUKTAI

NEXPERIA

GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FETs

Normally off e-mode devices that deliver superior performance and very low on-state resistance.

Sužinokite Daugiau

GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMTs

40V, 1.2mΩ or 12mΩ, bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistors (HEMTs).

Sužinokite Daugiau

GANB8R0-040CBA Bi-Directional GaN FET

40V, 8.0mΩ bi-directional GaN HEMT housed in a compact 1.7mm x 1.7mm WLCSP package.

Sužinokite Daugiau

GANB4R8-040CBA Dvikryptis GaN FET

40 V, 4,8 mΩ Dvikryptis GaN Itin Judrus Elektronų Tranzistorius (HEMT) WLCSP pakuotėje.

Sužinokite Daugiau

GANE3R9-150QBA Galio Nitrido (GaN) FET

Bendrosios paskirties 150 V, 3,9 mΩ Galio Nitrido (GaN) FET VQFN pakuotėje.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 1 885

Turime sandėlyje:: 1 885 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,24 €	2,24 €
	1,10 €	11,00 €
	0,989 €	98,90 €
	0,788 €	394,00 €
	0,769 €	769,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,656 €	1 640,00 €
	0,615 €	3 075,00 €

GANE350-650FBAZ

Gam.: Nexperia

Aprašymas: GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

eMode GaN lauko tranzistorius (FET)

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI NEXPERIA

Prieinamumas: 1 885

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Nexperia

Aprašymas:

GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

ATRINKTI PRODUKTAI

NEXPERIA