FFSP1065B

onsemi
863-FFSP1065B
FFSP1065B

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE 650V 10A

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi FFSP1065B

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
10 A
650 V
1.38 V
45 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
650 V
FFSP1065B
Tube
Prekės Ženklas: onsemi
Pd - skaidos galia: 75 W
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 50
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas: EliteSiC
Vieneto Svoris: 3,698 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

PCN

Reglamentavimo kodai
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:
Kinija
Distribucijos šalis:
Pietų Korėja
Šalis gali keistis siuntimo metu.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Prieinamumas: 815

Turime sandėlyje:
815 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,63 € 3,63 €
1,85 € 18,50 €
1,59 € 159,00 €
1,57 € 785,00 €
1,31 € 1 310,00 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimą? Prašome apsilankyti pagalbos centre.
Jei turite klausimų dėl konkretaus užsakymo, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidursite su kitomis problemomis, prašome susisiekti su mumis 800-346-6873 arba parašyti el. laišką adresu help@mouser.com.