Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

FDMS86181

Name: onsemi FDMS86181
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86181
Price: 3.5 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

512-FDMS86181

Mfr. #:

FDMS86181

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

Duomenų Lapas:

FDMS86181 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi FDMS86181

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	Power-56-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	124 A
RDS On - Drain-Source Varža:	12 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2 V
Qg – vartų krūvis:	42 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	125 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	PowerTrench
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	6 ns
Tiesioginis laidumas - min:	116 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	9 ns
Serija:	FDMS86181
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	25 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns
Vieneto Svoris:	90 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FDMS86181 Duomenų Lapas

PCN

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:: Filipinai
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDS_ON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Sužinokite Daugiau

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Sužinokite Daugiau

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Sužinokite Daugiau

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Sužinokite Daugiau

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 740

Turime sandėlyje:: 740

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 9 000

Tikėtina 2026-09-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 53

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1 Maks. 3000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,50 €	3,50 €
	2,29 €	22,90 €
	1,67 €	167,00 €
	1,39 €	695,00 €
	1,30 €	1 300,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	1,22 €	3 660,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

FDMS86181

Gam.: onsemi

Aprašymas: MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

Specifikacijos

Dokumentai (8)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas: 740

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI