Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

E4MS036120K

Name: Wolfspeed E4MS036120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4MS036120K
Price: 10.14 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-E4MS036120K

Mfr. #:

E4MS036120K

Gam.:

Wolfspeed

Aprašymas:

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

E4MS036120K Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Wolfspeed E4MS036120K

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	10,14 €	10,14 €
	8,26 €	82,60 €
	6,88 €	825,60 €
	6,12 €	3 121,20 €
	5,21 €	5 314,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Wolfspeed
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	55 A
RDS On - Drain-Source Varža:	47 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.6 V
Qg – vartų krūvis:	88 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	211 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Prekės Ženklas:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4 ns
Tiesioginis laidumas - min:	20 S
Gaminys:	SiC MOSFET
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	3 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	29 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channe

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

E4MS036120K Duomenų Lapas (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.