DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated
621-DMTH6010LPSQ-13
DMTH6010LPSQ-13

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 729

Turime sandėlyje:
2 729 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,39 € 1,39 €
1,10 € 11,00 €
0,742 € 74,20 €
0,60 € 300,00 €
0,556 € 556,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,487 € 1 217,50 €
0,481 € 2 405,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Diodes Incorporated
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
1 Channel
60 V
13.5 A
6.4 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
41.3 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Diodes Incorporated
Configuration: Single
Rudens laikas: 9.7 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 4.3 ns
Serija: DMTH6010
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 23.4 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 5.7 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 96 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMTH601xLPSQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of automotive applications. DMTH601xLPSQ MOSFETs are qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP (Production Part Approval Process), and are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters. DMTH601xLPSQ MOSFETs offer low RDS(ON), low input capacitance, and fast switching speed. Offered in Diodes Incorporated's unique PowerDI®5060 package, DMTH601xLPSQ MOSFETs are rated to +175ºC and feature an off-board height of <1.1mm. This makes DMTH601xLPSQ MOSFETs well suited for high-temperature environments and low-profile applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.