Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

DIW065SIC080

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC080
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC080
Price: 8.99 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

637-DIW065SIC080

Mfr. #:

DIW065SIC080

Gam.:

Diotec Semiconductor

Aprašymas:

SiC MOSFET

Duomenų Lapas:

DIW065SIC080 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Diotec Semiconductor DIW065SIC080

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Diotec Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	36 A
RDS On - Drain-Source Varža:	80 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	75 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	175 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	DIW065SIC080
Prekės Ženklas:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	9 ns
Tiesioginis laidumas - min:	3.5 S
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	13 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	20 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	10 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

DIW065SIC080 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

ATRINKTI PRODUKTAI

DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.

Sužinokite Daugiau

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations.

Sužinokite Daugiau

Peržiūrėti visus naujausius produktus nuo Diotec Semiconductor

Prieinamumas: 447

Turime sandėlyje:: 447 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 10 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	8,99 €	8,99 €
	4,88 €	48,80 €
	4,72 €	566,40 €
	4,70 €	2 397,00 €
	4,64 €	4 732,80 €
	4,43 €	11 163,60 €
5 010	Pasiūlymas

DIW065SIC080

Gam.: Diotec Semiconductor

Aprašymas: SiC MOSFET

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI DIOTEC SEMICONDUCTOR

Prieinamumas: 447

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Diotec Semiconductor

Aprašymas:

SiC MOSFET

ATRINKTI PRODUKTAI

DIOTEC SEMICONDUCTOR