Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

CGHV40180F

Name: MACOM CGHV40180F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40180F
Price: 394.85 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CGHV40180F

Mfr. #:

CGHV40180F

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET GaN HEMT

Duomenų Lapas:

CGHV40180F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CGHV40180F

Prieinamumas: 350

Turime sandėlyje:: 350 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	394,85 €	394,85 €
	341,47 €	3 414,70 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	440223
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	125 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	18 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	- 3.8 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	150 W
Prekės Ženklas:	MACOM
Kūrimo priemonių rinkinys:	CGHV40180F-TB1
Gain:	20.3 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	1 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	50 MHz
Išvesties Galia:	180 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	25
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V
Vieneto Svoris:	25,676 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CGHV40180F Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.