Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

CG2H40010F

Name: MACOM CG2H40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40010F
Price: 96.78 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-CG2H40010F

Mfr. #:

CG2H40010F

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

Duomenų Lapas:

CG2H40010F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM CG2H40010F

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	440166
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	120 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1.5 A
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	- 2.7 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Didžiausias darbinis dažnis:	6 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	0 Hz
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	MACOM
Gain:	16.5 dB
Išvesties Galia:	10 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tranzistoriaus tipas:	GaN HEMT
Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa:	- 10 V, 2 V
Vieneto Svoris:	4,200 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CG2H40010F Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

ATRINKTI PRODUKTAI

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Sužinokite Daugiau

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Sužinokite Daugiau

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Sužinokite Daugiau

5 G RF JFET ir LDMOS FET

Termiškai patobulinti didelės galios tranzistoriai, skirti naujos kartos belaidžiam perdavimui.

Sužinokite Daugiau

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 1 285

Tikėtina 2026-09-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	96,78 €	96,78 €
	81,27 €	812,70 €
	77,40 €	1 935,00 €

CG2H40010F

Gam.: MACOM

Aprašymas: GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

Specifikacijos

Dokumentai (5)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI MACOM

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

ATRINKTI PRODUKTAI

MACOM