CDF56G7032N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G7032N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CD56G7032NTR13PB
Price: 5.84 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

610-CD56G7032NTR13PB

Mfr. #:

CDF56G7032N TR13 PBFREE

Gam.:

Central Semiconductor

Aprašymas:

GaN FET 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

CDF56G7032N TR13 PBFREE Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Central Semiconductor CDF56G7032N TR13 PBFREE

Prieinamumas: 2 468

Turime sandėlyje:: 2 468 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,84 €	5,84 €
	3,94 €	39,40 €
	2,91 €	291,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	2,47 €	6 175,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Central Semiconductor
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DFN-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	700 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	18 A
RDS On - Drain-Source Varža:	140 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	3.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 155 C
Pd - skaidos galia:	113 W
Kanalas Mode:	Depletion
Prekės Ženklas:	Central Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	6 ns
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	Field Effect Transistors
Gaminio tipas:	GaN FETs
Kilimo Laikas:	5 ns
Serija:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	GaN
Tipas:	Power FET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	4 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	3 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CDF56G7032N TR13 PBFREE Duomenų Lapas (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.