C3M0032120K1

Wolfspeed
941-C3M0032120K1
C3M0032120K1

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Wolfspeed C3M0032120K1

Prieinamumas: 428

Turime sandėlyje:
428 Galime išsiųsti iš karto
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
11,40 € 11,40 €
6,91 € 69,10 €
5,95 € 714,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Wolfspeed
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
69 A
55 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.8 V
118 nC
- 40 C
+ 175 C
278 W
Enhancement
Prekės Ženklas: Wolfspeed
Configuration: Single
Rudens laikas: 8 ns
Tiesioginis laidumas - min: 22 S
Gaminys: MOSFETs
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 19 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 30
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipas: Silicon Carbide Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 24 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 16 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

TO-247-4 žemo profilio 1 200 V SIC galios MOSFET

„Wolfspeed“ TO-247-4 žemo profilio 1 200 V silicio karbido (SIC) galios MOSFET pasižymi dideliu perjungimo greičiu su mažomis kondensatorinėmis apkrovomis ir aukšta blokavimo įtampa su maža įjungimo varža. Šie galios MOSFET sumažina perjungimo nuostolius ir aušinimo reikalavimus bei sumažina užtūros skambėjimą. 1 200 V SIC galios MOSFET turi greitą vidinį diodą, pasižymintį mažu grįžtamuoju atstatymu (Qrr). Šie galios MOSFET padidina galios tankį ir sistemos perjungimo dažnį. 1 200 V SiC galios MOSFET teikiami optimizuotose pakuotėse su atskirais tvarkyklės šaltinio kontaktais ir žemesnio profilio TO-247-4 pakuotės korpusu. Šiuose galios MOSFET moduliuose nėra halogenų ir jie atitinka RoHS reikalavimus. Įprastai naudojami variklių valdymui, elektromobilių akumuliatorių įkrovikliams, aukštos įtampos DC / DC keitikliams, saulės energijos / ESS, UPS ir įmonių PSU.

1 200 V silicio karbido galios MOSFET

„Wolfspeed“  1 200 V silicio karbido galios MOSFET nustato našumo, tvirtumo ir konstrukcijos paprastumo standartą. „Wolfspeed“ MOSFET pasižymi greitu perjungimu ir mažais perjungimo nuostoliais, todėl užtikrina gerokai didesnį sistemos efektyvumą, galios tankį bei bendrą medžiagų sąmatos kainą, palyginti su silicio MOSFET ir IGBT produktais.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.