Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

C3M0021120K1

Name: Wolfspeed C3M0021120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120K1
Price: 15.47 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-C3M0021120K1

Mfr. #:

C3M0021120K1

Gam.:

Wolfspeed

Aprašymas:

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

C3M0021120K1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Wolfspeed C3M0021120K1

Prieinamumas: 166

Turime sandėlyje:: 166 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	15,47 €	15,47 €
	9,63 €	96,30 €
	8,83 €	1 059,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Wolfspeed
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	100 A
RDS On - Drain-Source Varža:	35 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.8 V
Qg – vartų krūvis:	177 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	405 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Rudens laikas:	13 ns
Tiesioginis laidumas - min:	35 S
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	39 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	54 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	17 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

C3M0021120K1 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-4 žemo profilio 1 200 V SIC galios MOSFET

„Wolfspeed“ TO-247-4 žemo profilio 1 200 V silicio karbido (SIC) galios MOSFET pasižymi dideliu perjungimo greičiu su mažomis kondensatorinėmis apkrovomis ir aukšta blokavimo įtampa su maža įjungimo varža. Šie galios MOSFET sumažina perjungimo nuostolius ir aušinimo reikalavimus bei sumažina užtūros skambėjimą. 1 200 V SIC galios MOSFET turi greitą vidinį diodą, pasižymintį mažu grįžtamuoju atstatymu (Q_rr). Šie galios MOSFET padidina galios tankį ir sistemos perjungimo dažnį. 1 200 V SiC galios MOSFET teikiami optimizuotose pakuotėse su atskirais tvarkyklės šaltinio kontaktais ir žemesnio profilio TO-247-4 pakuotės korpusu. Šiuose galios MOSFET moduliuose nėra halogenų ir jie atitinka RoHS reikalavimus. Įprastai naudojami variklių valdymui, elektromobilių akumuliatorių įkrovikliams, aukštos įtampos DC / DC keitikliams, saulės energijos / ESS, UPS ir įmonių PSU.

1 200 V silicio karbido galios MOSFET

„Wolfspeed“ 1 200 V silicio karbido galios MOSFET nustato našumo, tvirtumo ir konstrukcijos paprastumo standartą. „Wolfspeed“ MOSFET pasižymi greitu perjungimu ir mažais perjungimo nuostoliais, todėl užtikrina gerokai didesnį sistemos efektyvumą, galios tankį bei bendrą medžiagų sąmatos kainą, palyginti su silicio MOSFET ir IGBT produktais.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.