Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BSM600D12P4G103

Name: ROHM Semiconductor BSM600D12P4G103
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM600D12P4G103
Price: 1010.96 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-BSM600D12P4G103

Mfr. #:

BSM600D12P4G103

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFET moduliai 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Duomenų Lapas:

BSM600D12P4G103 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 4

Turime sandėlyje:: 4 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1 010,96 €	1 010,96 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	Module
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	567 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.8 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	1.78 kW
Pakavimas:	Bulk
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	90 ns
Ilgis:	152 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	110 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	4
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	SiC Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	435 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	135 ns
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Plotis:	62 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BSM600D12P4G103 Duomenų Lapas (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.