Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BSM250D17P2E004

Name: ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM250D17P2E004
Price: 880.09 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-BSM250D17P2E004

Mfr. #:

BSM250D17P2E004

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFET moduliai 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module

Duomenų Lapas:

BSM250D17P2E004 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor BSM250D17P2E004

Prieinamumas: 48

Turime sandėlyje:: 48 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	880,09 €	880,09 €
Visa Ritė (Užsakoma po 4)
	880,09 €	3 520,36 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	Module
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.7 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	250 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	1.8 kW
Serija:	BSMx
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	70 ns
Aukštis:	15.4 mm
Ilgis:	152 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	55 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	4
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	SiC Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	195 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	55 ns
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Plotis:	62 mm
Vieneto Svoris:	431 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BSM250D17P2E004 Duomenų Lapas (PDF)

Other

Specification Sheets

Test/Quality Data

Export Regulation (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541590000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541590080
JPHTS:: 854159000
MXHTS:: 8541500100
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.