Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BSM120D12P2C005

Name: ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM120D12P2C005
Price: 328.94 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-BSM120D12P2C005

Mfr. #:

BSM120D12P2C005

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)

Duomenų Lapas:

BSM120D12P2C005 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor BSM120D12P2C005

Prieinamumas: 11

Turime sandėlyje:: 11 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 11 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	328,94 €	328,94 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Screw Mount
Pakuotė / Korpusas:	Module
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	134 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	935 W
Serija:	BSMx
Pakavimas:	Bulk
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	60 ns
Aukštis:	21.1 mm
Ilgis:	122 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	50 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	12
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	SiC Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	170 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	45 ns
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Plotis:	45.6 mm
Vieneto Svoris:	279,413 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BSM120D12P2C005 Duomenų Lapas (PDF)

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

Videos

ROHM Full SiC Power Modules

Constitution Material (PDF)

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.