Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BGA9V1MN9E6327XTSA1

Name: Infineon BGA9V1MN9E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA9V1MN9E6327XT
Price: 0.35 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-BGA9V1MN9E6327XT

Mfr. #:

BGA9V1MN9E6327XTSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

RF Stiprintuvas RF MMIC 3 TO 6 GHZ

Duomenų Lapas:

BGA9V1MN9E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies BGA9V1MN9E6327XTSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 12000 Užsakoma po 12000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 12000)
	0,359 €	4 308,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	RF Stiprintuvas
RoHS:
Darbinis Dažnis:	3.3 GHz to 4.2 GHz
Darbinė Maitinimo Įtampa:	1.1 V to 2 V
Darbinė Maitinimo Srovė:	5.8 mA
Gain:	21 dB
NF - triukšmo koeficientas:	0.75 dB
Tipas:	Low Noise Amplifiers
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Technologijos:	SiGe
P1dB - suspaudimo taškas:	- 18 dBm
OIP3 – trečiosios eilės perėmimas:	- 7 dBm
Minimali darbinė temperatūra:	- 30 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis:	12000
Subkategorija:	Wireless & RF Integrated Circuits
Test Dažnis:	3.8 GHz
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	BGA 9V1MN9 E6327 SP002367704

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BGA9V1MN9E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: 5A991.g

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.