Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

BGA9C1MN9E6327XTSA1

Name: Infineon BGA9C1MN9E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA9C1MN9E6327XT
Price: 0.4 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-BGA9C1MN9E6327XT

Mfr. #:

BGA9C1MN9E6327XTSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

RF Stiprintuvas RF MMIC 3 TO 6 GHZ

Duomenų Lapas:

BGA9C1MN9E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies BGA9C1MN9E6327XTSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 12000 Užsakoma po 12000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 12000)
	0,402 €	4 824,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	RF Stiprintuvas
Darbinis Dažnis:	4.4 GHz to 5 GHz
Darbinė Maitinimo Įtampa:	1.1 V to 2 V
Darbinė Maitinimo Srovė:	5.6 mA
Gain:	19 dB
NF - triukšmo koeficientas:	1 dB
Tipas:	Low Noise Amplifiers
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Technologijos:	SiGe
P1dB - suspaudimo taškas:	- 19 dBm
OIP3 – trečiosios eilės perėmimas:	- 7 dBm
Minimali darbinė temperatūra:	- 30 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis:	12000
Subkategorija:	Wireless & RF Integrated Circuits
Test Dažnis:	4.9 GHz
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	BGA 9C1MN9 E6327 SP002367712

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

BGA9C1MN9E6327XTSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 5A991.b

4G/5G Low Noise Amplifiers

Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.