18 bit Puslaidininkiai

Puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 160
Daugkart.: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 270
Daugkart.: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 1
Ne
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 50
Daugkart.: 1
Ne
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 104
Daugkart.: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 119
Daugkart.: 119