Rezultatai: 193
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
onsemi MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 83Prieinamumas
18 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 920
: 3 000


onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Gen Purpose Amp 341Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-10-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 70
: 2 500


onsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 16-SOIC PNP 412Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-01-22
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 220
: 2 500

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT H-Bridge-20V 112Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Mažų signalų perjungimo diodai Quad Low Leakage Diode, AEC-Q101 50Prieinamumas
39 000Tikėtina 2027-05-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Mažų signalų perjungimo diodai 75V 200mW 4 700Prieinamumas
9 000Tikėtina 2027-10-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 130
: 3 000

Diodes Incorporated Mažų signalų perjungimo diodai 75V 200mW 5 876Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 298Prieinamumas
17 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 22Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 0.5A 50V 452Prieinamumas
9 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 230
: 3 000

Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 160 A booster IGBT module 12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Toshiba Mažų signalų perjungimo diodai 0.1A 80V Switching High-Speed Diode 4 457Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Mažų signalų perjungimo diodai US6-M8, 6 905Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Mažų signalų perjungimo diodai 1 747Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Mažų signalų perjungimo diodai DIODE-SS 90V 150MA T SSOP-6 3 116Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-06-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Mažų signalų perjungimo diodai DIODE-SS 100V 200MA SOT-363-6 3 922Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Nexperia Mažų signalų perjungimo diodai DIODE-SS 100V 200MA SOT-363-6 5 742Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Mažų signalų perjungimo diodai DIODE-SS 90V 375MA DFN-1412-6 314Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-05-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

onsemi Lygintuvai Low Cap. for ESD Protection in 2 Line 895Prieinamumas
42 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diotec Semiconductor Mažų signalų perjungimo diodai Small Signal Diode, SOT-23, 100V, 0.25A, 150C 8 435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Central Semiconductor Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 75Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 500mA 650mW 2 187Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge 98Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor Mažų signalų perjungimo diodai Discrete Semiconductors, Diodes, High-speed switching, 80V, 100mA, 2 Pair Anode Common Switching Diode for Automotive 165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 8 000

ROHM Semiconductor Mažų signalų perjungimo diodai Discrete Semiconductors, Diodes, High-speed switching, 80V, 100mA, 2 Pair Cathode Common Switching Diode for Automotive 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


Central Semiconductor Dvipoliai tranzistoriai – BJT . . 314Prieinamumas
425Tikėtina 2026-07-13
Min.: 1
Daugkart.: 1