Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

T2G4005528-FS

Name: Qorvo T2G4005528-FS
Brand: Qorvo
SKU: 772-T2G4005528-FS
Price: 346.42 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

772-T2G4005528-FS

Mfr. #:

T2G4005528-FS

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Duomenų Lapas:

T2G4005528-FS Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Qorvo T2G4005528-FS

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Qorvo
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Pakuotė / Korpusas:	NI-360
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Didžiausias darbinis dažnis:	3.5 GHz
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	Qorvo
Gain:	16 dB
Jautrus drėgmei:	Yes
Išvesties Galia:	55 W
Pakavimas:	Tray
Gaminio tipas:	GaN FETs
Serija:	T2G4005528
Gamyklinės pakuotės kiekis:	100
Subkategorija:	Transistors
Tipas:	GaN SiC HEMT
Tranzistoriaus tipas:	HEMT
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	T2G4005528 1099993

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

T2G4005528-FS Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Jungtinės Valstijos
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

ATRINKTI PRODUKTAI

QORVO

QPD2562L GaN RF Power Transistor

A 200W to 300W discrete GaN-on-SiC HEMT that operates from 2.5GHz to 2.9GHz and 2.9GHz to 3.3GHz.

Sužinokite Daugiau

QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz.

Sužinokite Daugiau

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Sužinokite Daugiau

QPD1014A GaN Input Matched Transistors

15W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Sužinokite Daugiau

QPD1011A GaN Input Matched Transistors

7W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 100 Užsakoma po 100

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	346,42 €	34 642,00 €

T2G4005528-FS

Gam.: Qorvo

Aprašymas: GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

Specifikacijos

Dokumentai (3)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

QPD GaN RF Transistors

ATRINKTI PRODUKTAI QORVO

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

Qorvo

Aprašymas:

GaN FET DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless

ATRINKTI PRODUKTAI

QORVO