NVMFS5830NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5830NLWFT1G-UM
NVMFS5830NLWFT1G-UM

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 200

Turime sandėlyje:
1 200 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1   Maks. 150
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,68 € 1,68 €
1,14 € 11,40 €
0,955 € 95,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1500)
0,955 € 1 432,50 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
2.3 mOhms
20 V
2.4 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 27 ns
Tiesioginis laidumas - min: 38 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 32 ns
Serija: NVMFS5830NL
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 40 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 22 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Malaizija
Šalis, kurioje pagaminta:
Malaizija
Distribucijos šalis:
Taivanas
Šalis gali keistis siuntimo metu.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency power MOSFET designed for demanding power management applications. Utilizing advanced trench technology, the onsemi NVMFS5830NL delivers exceptionally low RDS(on) performance (2.3mΩ at VGS = 10V), making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current systems. The 5mm x 6mm x 1mm, flat-lead SO-8FL package enhances thermal performance and board space efficiency, while the low gate charge and fast switching characteristics contribute to improved overall system efficiency. A wettable flank option is available for enhanced optical inspection. With the combination of high current capability, low switching losses, and a compact footprint, the NVMFS5830NL is well-suited for use in motor control applications and high-/low-side load switches.