NVH4L040N120M3S-IE

Name: onsemi NVH4L040N120M3S-IE
Brand: onsemi
SKU: 863-H4L040N120M3S-IE
Price: 11.28 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-H4L040N120M3S-IE

Mfr. #:

NVH4L040N120M3S-IE

Gam.:

onsemi

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 450 Užsakoma po 450

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,28 €	5 076,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-4L
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	54 A
RDS On - Drain-Source Varža:	54 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.4 V
Qg – vartų krūvis:	75 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	115 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	10 ns
Tiesioginis laidumas - min:	16 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	MOSFET
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	15 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	35 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel