Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

NTJS3151PT2G

Name: onsemi NTJS3151PT2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTJS3151PT2G
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTJS3151PT2G

Mfr. #:

NTJS3151PT2G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs 12V 3.3A P-Channel

Duomenų Lapas:

NTJS3151PT2G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTJS3151PT2G

Prieinamumas: 2 890

Turime sandėlyje:: 2 890 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 44 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	0,568 €	0,57 €
	0,348 €	3,48 €
	0,223 €	22,30 €
	0,169 €	84,50 €
	0,148 €	148,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,11 €	330,00 €

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

NTJS3151PT1G

Pakuotė:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

0,54 €

Min.:

Galimas Pakeitimas

Gam.:

onsemi

Mfr. #:

NTJS3151PT1G

Aprašymas:

MOSFETs 12V 3.3A P-Channel

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SC-88-6
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	12 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	3.3 A
RDS On - Drain-Source Varža:	133 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 12 V, 12 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	625 mW
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	1.5 ns
Tiesioginis laidumas - min:	15 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	1.5 ns
Serija:	NTJS3151P
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	3.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	0.86 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

                        
This part is discontinued with no replacement. It will
no longer be available once stock is depleted.

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further information.

5-9999-2

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTJS3151PT2G Duomenų Lapas

PCN

SPICE Models

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Kinija
Distribucijos šalis:: Taivanas

Šalis gali keistis siuntimo metu.

NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs are high-performance MOSFETs designed for efficient switching applications. Housed in a compact SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm package, these onsemi MOSFETs offer a low R_DS(on) of just 45mΩ at -4.5V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain current of -3.3A and a drain-source voltage rating of -12V, the NxJS3151P devices are well-suited for load switching in portable and battery-powered devices. The ultra-low gate charge and fast switching characteristics contribute to enhanced energy efficiency, making the onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs ideal for space-constrained designs where power density and reliability are critical.