NTH4L013N120M3S

onsemi
863-NTH4L013N120M3S
NTH4L013N120M3S

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi NTH4L013N120M3S

Prieinamumas: 843

Turime sandėlyje:
843 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
27,11 € 27,11 €
20,65 € 206,50 €
20,59 € 2 059,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
151 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
254 nC
- 55 C
+ 175 C
682 W
Enhancement
EliteSiC
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: SIngle
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: CN
Rudens laikas: 10 ns
Tiesioginis laidumas - min: 57 S
Pakavimas: Tube
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 23 ns
Serija: NTH4L013N120M3S
Gamyklinės pakuotės kiekis: 450
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 56 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 22 ns
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.

NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTH4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs. The MOSFETs feature ultra-low gate charges and low switching losses. Some MOSFET models provide high-speed switching with low capacitance ratings. The NTH4L series is 100% avalanche tested and RoHS compliant. The onsemi NTH4L SiC MOSFETs are ideal for various power applications, including solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, uninterruptible power supplies (UPS), energy storage systems, and switch-mode power supplies (SMPS).

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.