NTBLS1D1N08H

onsemi
863-NTBLS1D1N08H
NTBLS1D1N08H

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs T8-80V IN TOLL

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 828

Turime sandėlyje:
1 828
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000
Tikėtina 2026-10-27
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
7,03 € 7,03 €
4,77 € 47,70 €
3,49 € 349,00 €
3,40 € 1 700,00 €
3,18 € 3 180,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
3,18 € 6 360,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
80 V
351 A
1.05 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
166 nC
- 55 C
+ 175 C
311 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 43 ns
Tiesioginis laidumas - min: 213 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 43 ns
Serija: NTBLS1D1N08H
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 141 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 45 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Filipinai
Šalis, kurioje pagaminta:
Filipinai
Distribucijos šalis:
Japonija
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).