Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Matote Klaidą?

FFSH50120A

Name: onsemi FFSH50120A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH50120A
Price: 18.89 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-FFSH50120A

Mfr. #:

FFSH50120A

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai 1200V 10A SIC SBD

Duomenų Lapas:

FFSH50120A Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi FFSH50120A

Prieinamumas: 302

Turime sandėlyje:: 302 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	18,89 €	18,89 €
	12,70 €	127,00 €
	12,66 €	1 519,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	50 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vf - tiesioginė įtampa:	1.45 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	280 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	200 uA
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	FFSH50120A
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Pd - skaidos galia:	736 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas:	EliteSiC
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vieneto Svoris:	5,321 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FFSH50120A Duomenų Lapas

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

FFSH SiC Schottky Diodes

onsemi FFSH Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved system efficiency and have a max junction temperature of +175°C. These onsemi Schottky Diodes have no switching loss and a high surge current capacity. FFSH diodes use Silicon Carbide semiconductor material for higher operating frequency, increasing power density and reduction of system size/cost. This ensures high reliability and robust operation during surge or over-voltage conditions.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.