FFSD2065B

onsemi
863-FFSD2065B
FFSD2065B

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODE DPAK 650V

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 249

Turime sandėlyje:
2 249 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
13 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3,53 € 3,53 €
2,47 € 24,70 €
2,19 € 219,00 €
2,14 € 1 070,00 €
2,12 € 2 120,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
2,02 € 5 050,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
20 A
650 V
1.38 V
80 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD2065B
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: onsemi
Pd - skaidos galia: 160 W
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Prekinis pavadinimas: EliteSiC
Vr - atvirkštinė įtampa: 650 V
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.