Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

C2M0080120D

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

941-C2M0080120D

Mfr. #:

C2M0080120D

Gam.:

Wolfspeed

Eksploatacijos Laikotarpis:

Nebegaminamas

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Įspėjimas dėl siuntimo:

Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.

Gam.:

Wolfspeed

Mfr. #:

C4D20120A

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Wolfspeed
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
Siuntimo apribojimai:	Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	31.6 A
RDS On - Drain-Source Varža:	98 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	71 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	208 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Wolfspeed
Configuration:	Single
Rudens laikas:	21 ns
Tiesioginis laidumas - min:	3.9 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	Power MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	34 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	23.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Vieneto Svoris:	6 g