Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIR5802DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5802DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIR5802DP-T1-RE3
Price: 2.59 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SIR5802DP-T1-RE3

Mfr. #:

SIR5802DP-T1-RE3

Gam.:

Vishay

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 5 740 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 3 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SO-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	80 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	137.5 A
RDS On - Drain-Source Varža:	2.9 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, 10 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	28 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Prekinis pavadinimas:	PowerPAK
Prekės Ženklas:	Vishay
Rudens laikas:	12 ns
Tiesioginis laidumas - min:	49 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	11 ns
Serija:	SIR
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	25 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns