Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SIR4411DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4411DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR4411DP-T1-GE3
Price: 1.6 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SIR4411DP-T1-GE3

Mfr. #:

SIR4411DP-T1-GE3

Gam.:

Vishay / Siliconix

Duomenų Lapas:

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Turime sandėlyje:: 5 702 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 5 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerPAK-SO-8
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	48.3 A
RDS On - Drain-Source Varža:	11 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.3 V
Qg – vartų krūvis:	79 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	56.8 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	TrenchFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Rudens laikas:	8 ns, 34 ns
Tiesioginis laidumas - min:	45 nC
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	6 ns, 65 ns
Serija:	SIR
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	46 ns, 51 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns, 28 ns
Tranzistoriaus tipas:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET