TPW1R005PL,L1Q
Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas
Žr. produkto specifikacijas
757-TPW1R005PLL1Q
TPW1R005PL,L1Q
Gam.:
Aprašymas:
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
Duomenų Lapas:
Prieinamumas: 12 875
-
Turime sandėlyje:
-
12 875 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
19 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Nukerpama juosta / „MouseReel™“ † | ||
| 3,66 € | 3,66 € | |
| 2,41 € | 24,10 € | |
| 1,69 € | 169,00 € | |
| 1,42 € | 710,00 € | |
| 1,33 € | 3 325,00 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 5000) | ||
| 1,32 € | 6 600,00 € | |
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.
↩
Duomenų Lapas
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide STD Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
Reglamentavimo kodai
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
- Kilmės šalis:
- Malaizija
- Šalis, kurioje pagaminta:
- Ne
- Distribucijos šalis:
- Ne
