TPN1200APL,L1Q
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Prieinamumas
-
Turime sandėlyje:
-
0Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Pagal užsakymą:
-
20 783Tikėtina 2026-12-14
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
25Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| 1,43 € | 1,43 € | |
| 0,886 € | 8,86 € | |
| 0,579 € | 57,90 € | |
| 0,455 € | 227,50 € | |
| 0,39 € | 390,00 € | |
| 0,353 € | 882,50 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 5000) | ||
| 0,312 € | 1 560,00 € | |
| 0,267 € | 2 670,00 € | |
Duomenų Lapas
Application Notes
- Application Note
- Application Note
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
- Kilmės šalis:
- Malaizija
- Šalis, kurioje pagaminta:
- Ne
- Distribucijos šalis:
- Japonija
Lietuva
