TK12P60W,RVQ
Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas
Žr. produkto specifikacijas
757-TK12P60WRVQ
TK12P60W,RVQ
Gam.:
Aprašymas:
MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
Duomenų Lapas:
Prieinamumas: 757
-
Turime sandėlyje:
-
757 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Nukerpama juosta / „MouseReel™“ † | ||
| 2,09 € | 2,09 € | |
| 1,54 € | 15,40 € | |
| 1,23 € | 123,00 € | |
| 1,21 € | 605,00 € | |
| 1,17 € | 1 170,00 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 2000) | ||
| 1,03 € | 2 060,00 € | |
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.
↩
Duomenų Lapas
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
