LMG3422R050RQZR

Texas Instruments
595-LMG3422R050RQZR
LMG3422R050RQZR

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 2000   Užsakoma po 2000
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
7,55 € 15 100,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
Siuntimo apribojimai:
 Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
VQFN-54
1 Driver
1 Output
7.5 V
18 V
Non-Inverting
2.5 ns
21 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3422R050
Reel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: Not Available
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2000
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: GaN
Prekinis pavadinimas: GaN
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
3A001.A.2.A

LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG342xR050 600V 50mΩ GaN FETs with integrated driver and protection enable designers to achieve new power density and efficiency levels in power electronics systems. The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance.