LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments
595-LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 5 139

Turime sandėlyje:
5 139 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 4500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
3,79 € 3,79 €
2,88 € 28,80 €
2,65 € 66,25 €
2,40 € 240,00 €
2,28 € 570,00 €
2,21 € 1 105,00 €
2,15 € 2 150,00 €
2,10 € 5 250,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 4500)
2,05 € 9 225,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5113
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Maksimalus išjungimo delsos laikas: 26.5 ns
Maksimalus įjungimo delsos laikas: 28 ns
Darbinė Maitinimo Srovė: 2 mA
Gaminio tipas: Gate Drivers
Gamyklinės pakuotės kiekis: 4500
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Technologijos: Si
Vieneto Svoris: 49,200 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side enhancement mode GaN FET operating up to 100V. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5.2V. This clamping prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LM5113/LM5113-Q1 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LM5113/LM5113-Q1 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently. The LM5113-Q1 devices are AEC-Q100 qualified for automotive applications.