Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD88584Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88584Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88584Q5DC
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD88584Q5DC

Mfr. #:

CSD88584Q5DC

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT

Duomenų Lapas:

CSD88584Q5DC Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Texas Instruments CSD88584Q5DC

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 6 317

Tikėtina 2026-05-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	4,06 €	4,06 €
	2,69 €	26,90 €
	1,91 €	191,00 €
	1,79 €	895,00 €
	1,66 €	1 660,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	1,52 €	3 800,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	VSON-CLIP-22
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	2 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	50 A
RDS On - Drain-Source Varža:	680 uOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.2 V
Qg – vartų krūvis:	137 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	12 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	NexFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Rudens laikas:	17 ns
Tiesioginis laidumas - min:	149 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	24 ns
Serija:	CSD88584Q5DC
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	53 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns
Tranzistoriaus tipas:	2 N-Channel
Vieneto Svoris:	100,600 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CSD88584Q5DC Duomenų Lapas

SPICE Models

CSD88584Q5DC PSpice Model (Rev. A)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block

Texas Instruments CSD88584Q5DC 40V Half-Bridge NexFET Power Block is an optimized design for high-current motor control applications. These applications include handheld, cordless garden, and power tools. This device utilizes TI’s patented stacked die technology to minimize parasitic inductances while offering a complete half-bridge. The device also comes in a space-saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for a simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB. This design allows for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.