CSD87333Q3D

Texas Instruments
595-CSD87333Q3D
CSD87333Q3D

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 4 177

Turime sandėlyje:
4 177 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
0,946 € 0,95 €
0,615 € 6,15 €
0,508 € 50,80 €
0,437 € 218,50 €
0,394 € 394,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,372 € 930,00 €
0,326 € 1 630,00 €
0,316 € 3 160,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
15 A
14.3 mOhms
- 8 V, 8 V
1.2 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Configuration: Dual
Rudens laikas: 2.2 ns
Tiesioginis laidumas - min: 43 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 3.9 ns
Serija: CSD87333Q3D
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 9.4 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 2.1 ns
Tranzistoriaus tipas: 2 N-Channel
Vieneto Svoris: 20,600 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.