CSD87313DMST

Texas Instruments
595-CSD87313DMST
CSD87313DMST

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 904

Turime sandėlyje:
904 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 250)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,50 € 2,50 €
1,71 € 17,10 €
0,963 € 96,30 €
Visa Ritė (Užsakoma po 250)
0,963 € 240,75 €
0,844 € 422,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
2 Channel
30 V
17 A
5.5 mOhms
- 10 V, 10 V
600 mV
28 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Configuration: Dual
Rudens laikas: 13 ns, 13 ns
Tiesioginis laidumas - min: 149 S, 149 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 27 ns, 27 ns
Serija: CSD87313DMS
Gamyklinės pakuotės kiekis: 250
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 41 ns, 41 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 9 ns, 9 ns
Tranzistoriaus tipas: 2 N-Channel
Vieneto Svoris: 5,500 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.