Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD86336Q3DT

Name: Texas Instruments CSD86336Q3DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86336Q3DT
Price: 2.34 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD86336Q3DT

Mfr. #:

CSD86336Q3DT

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3D

Duomenų Lapas:

CSD86336Q3DT Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Texas Instruments CSD86336Q3DT

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 250)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	2,34 €	2,34 €
	1,51 €	15,10 €
	0,92 €	92,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 250)
	0,92 €	230,00 €
	0,781 €	390,50 €
	0,715 €	715,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

CSD86336Q3D

Pakuotė:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

1,71 €

Min.:

Panašus Produktas

Gam.:

Texas Instruments

Mfr. #:

CSD86336Q3D

Aprašymas:

MOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	VSON-CLIP-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	25 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	9.1 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, 8 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.1 V
Qg – vartų krūvis:	3.8 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	6 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	NexFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Rudens laikas:	2 ns
Tiesioginis laidumas - min:	40 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	10 ns
Serija:	CSD86336Q3D
Gamyklinės pakuotės kiekis:	250
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	7 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	5 ns
Tranzistoriaus tipas:	Power MOSFET
Vieneto Svoris:	99,500 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CSD86336Q3DT Duomenų Lapas

SPICE Models

CSD863336Q3D PSpice Model (Rev. B)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.