CSD25501F3T

Texas Instruments
595-CSD25501F3T
CSD25501F3T

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs #NAME?

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 170

Turime sandėlyje:
170 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 250)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,20 € 1,20 €
0,558 € 5,58 €
0,414 € 41,40 €
Visa Ritė (Užsakoma po 250)
0,414 € 103,50 €
0,329 € 164,50 €
0,304 € 304,00 €
0,29 € 725,00 €
0,287 € 1 435,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:
Pakuotė:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Prieinamumas:
Prieinamumas
Kaina:
0,33 €
Min.:
1

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
260 mOhms
- 20 V, 20 V
1.05 V
1.02 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Configuration: Single
Rudens laikas: 945 ns
Tiesioginis laidumas - min: 3.4 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 428 ns
Serija: CSD25501F3
Gamyklinės pakuotės kiekis: 250
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 1154 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 474 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 P-Channel
Vieneto Svoris: 0,300 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.