Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD22206WT

Name: Texas Instruments CSD22206WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206WT
Price: 1.64 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD22206WT

Mfr. #:

CSD22206WT

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

Duomenų Lapas:

CSD22206WT Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Texas Instruments CSD22206WT

Prieinamumas: 123

Turime sandėlyje:: 123 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 250)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	1,64 €	1,64 €
	1,07 €	10,70 €
	0,531 €	53,10 €
Visa Ritė (Užsakoma po 250)
	0,531 €	132,75 €
	0,458 €	229,00 €
	0,45 €	450,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

CSD22206W

Pakuotė:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

0,81 €

Min.:

Panašus Produktas

Gam.:

Texas Instruments

Mfr. #:

CSD22206W

Aprašymas:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DSBGA-9
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	8 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	2 A
RDS On - Drain-Source Varža:	9.1 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 6 V, 6 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	700 mV
Qg – vartų krūvis:	14.6 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	1.7 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	NexFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Rudens laikas:	45 ns
Tiesioginis laidumas - min:	20 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	17 ns
Serija:	CSD22206W
Gamyklinės pakuotės kiekis:	250
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	118 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	37 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel
Vieneto Svoris:	200 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

SPICE Models

Technical Resources

CSD22206W TINA-TI Reference Design

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.