Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD19531KCS

Name: Texas Instruments CSD19531KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19531KCS
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD19531KCS

Mfr. #:

CSD19531KCS

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

Duomenų Lapas:

CSD19531KCS Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Texas Instruments CSD19531KCS

Prieinamumas: 1 043

Turime sandėlyje:: 1 043 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,34 €	2,34 €
	1,28 €	12,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	200 A
RDS On - Drain-Source Varža:	7.7 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.7 V
Qg – vartų krūvis:	38 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	179 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	NexFET
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4.1 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	7.2 ns
Serija:	CSD19531KCS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	16 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	8.4 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CSD19531KCS Duomenų Lapas

Images

PCN

Qualification of GTBF as Additional Assembly/Test Site for Select Devices (PDF)

SPICE Models

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.