Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD17483F4

Name: Texas Instruments CSD17483F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD17483F4

Mfr. #:

CSD17483F4

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

Duomenų Lapas:

CSD17483F4 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 13 005

Turime sandėlyje:: 13 005 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 12 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,203 €	2,03 €
	0,128 €	12,80 €
	0,095 €	47,50 €
	0,084 €	84,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,071 €	213,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Alternatyvi pakuotė

Gam. dalies Nr.:

CSD17483F4T

Pakuotė:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Prieinamumas:

Prieinamumas

Kaina:

1,19 €

Min.:

Panašus Produktas

Gam.:

Texas Instruments

Mfr. #:

CSD17483F4T

Aprašymas:

MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Palyginti su esama dalimi

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PICOSTAR-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	30 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1.5 A
RDS On - Drain-Source Varža:	240 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, 8 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	650 mV
Qg – vartų krūvis:	1.01 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	500 mW
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	FemtoFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Rudens laikas:	3.4 ns
Tiesioginis laidumas - min:	2.4 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	1.3 ns
Serija:	CSD17483F4
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	10.6 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	3.3 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	0,400 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CSD17483F4 Duomenų Lapas

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

CSD17483F4 FemtoFET MOSFET

Texas Instruments CSD17483F4 FemtoFET MOSFET is built using FemtoFET technology and is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.