Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

CSD17309Q3

Name: Texas Instruments CSD17309Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17309Q3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

595-CSD17309Q3

Mfr. #:

CSD17309Q3

Gam.:

Texas Instruments

Aprašymas:

MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Duomenų Lapas:

CSD17309Q3 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Texas Instruments CSD17309Q3

Prieinamumas: 6 044

Turime sandėlyje:: 6 044 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,637 €	63,70 €
	0,558 €	279,00 €
	0,491 €	491,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,42 €	1 050,00 €
	0,378 €	1 890,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Texas Instruments
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	VSON-CLIP-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	30 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	60 A
RDS On - Drain-Source Varža:	5.4 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, 8 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.2 V
Qg – vartų krūvis:	7.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	2.8 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	NexFET
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Kūrimo priemonių rinkinys:	DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
Rudens laikas:	3.6 ns
Tiesioginis laidumas - min:	67 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	9.9 ns
Serija:	CSD17309Q3
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	13.2 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	6.1 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	44,500 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

CSD17309Q3 Duomenų Lapas

Models

CSD17309Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Technical Resources

CSD17309Q3 TINA-TI Reference Design

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

CSD17309Q3 NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17309Q3 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The Texas Instruments CSD17309Q3 N-Channel NexFET MOSFET features ultra-low on-resistance and low thermal resistance. This MOSFET is ideal for notebook point of load and point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems applications.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.