CSD17301Q5A

Texas Instruments
595-CSD17301Q5A
CSD17301Q5A

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 337

Turime sandėlyje:
2 337 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
6 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
2,00 € 2,00 €
1,29 € 12,90 €
0,877 € 87,70 €
0,715 € 357,50 €
0,661 € 661,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,57 € 1 425,00 €
0,564 € 2 820,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Texas Instruments
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
3 mOhms
- 8 V, 10 V
1.1 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
3.2 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Texas Instruments
Configuration: Single
Rudens laikas: 10.5 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 16.2 ns
Serija: CSD17301Q5A
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 100 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

CSD17301Q5A N-Channel NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD17301Q5A N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD17301Q5A NexFET Power MOSFET features ultralow Qg and Qgd along with low thermal resistance. The TI CSD17301Q5A is optimized for synchronous FET applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.